MPCVD(微波等離子體化學(xué)氣相沉積)鉬基片臺(tái)是一種專為高溫、高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)涂層、金剛石薄膜沉積等領(lǐng)域。鉬基片臺(tái)以其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高熔點(diǎn)和良好的機(jī)械性能,成為MPCVD設(shè)備中不可或缺的核心組件。
高熔點(diǎn):鉬的熔點(diǎn)高達(dá)2620°C,適合極端高溫環(huán)境。
優(yōu)異的熱導(dǎo)率:確?;_(tái)表面溫度均勻分布,避免局部過熱。
高機(jī)械強(qiáng)度:在高應(yīng)力條件下保持穩(wěn)定,延長(zhǎng)使用壽命。
耐腐蝕性:在化學(xué)活性氣體中表現(xiàn)出色,適合復(fù)雜工藝環(huán)境。
高純度:采用高純度鉬材料,減少雜質(zhì)污染,提升沉積薄膜質(zhì)量。
定制化設(shè)計(jì):可根據(jù)客戶需求提供不同尺寸、形狀和表面處理的基片臺(tái)。
半導(dǎo)體制造:用于硅片、GaN、SiC等材料的沉積。
光學(xué)涂層:用于增透膜、反射膜等光學(xué)薄膜的制備。
金剛石薄膜沉積:用于工具、模具等表面的金剛石涂層。
科研實(shí)驗(yàn):適用于高溫高壓條件下的材料研究和新工藝開發(fā)。
材質(zhì):高純度鉬(Mo)
熔點(diǎn):2620°C
熱導(dǎo)率:138 W/m·K
密度:10.2 g/cm3
純度:≥99.95%
尺寸:支持定制(直徑、厚度等)
表面處理:可提供拋光、涂層等定制化處理
高性能:在極端條件下保持穩(wěn)定,確保工藝一致性。
長(zhǎng)壽命:耐高溫、耐腐蝕,減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間和維護(hù)成本。
高精度:表面平整度高,確保薄膜沉積均勻性。
定制化服務(wù):根據(jù)客戶需求提供個(gè)性化設(shè)計(jì)和制造服務(wù)。
優(yōu)質(zhì)售后服務(wù):提供全面的技術(shù)支持和維護(hù)服務(wù)。
安裝:確保基片臺(tái)與設(shè)備匹配,避免機(jī)械應(yīng)力。
清潔:定期清理表面污染物,保持高純度和性能。
檢查:定期檢查磨損和腐蝕情況,及時(shí)更換或維護(hù)。
MPCVD設(shè)備
化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備
其他高溫薄膜沉積設(shè)備
MPCVD鉬基片臺(tái)憑借其優(yōu)異的性能和可靠性,在半導(dǎo)體、光學(xué)涂層和金剛石薄膜沉積等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。無(wú)論是大規(guī)模生產(chǎn)還是科研實(shí)驗(yàn),鉬基片臺(tái)都能提供高效、穩(wěn)定的支持,是MPCVD設(shè)備中的核心組件。
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