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鉬及鉬合金

  • 鉬托盤
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鉬托盤鉬托盤

鉬托盤

  • 牌號:Mo1,Moly361
  • 純度:≥99.95%
  • 規(guī)工藝:軋制,線切割,機械加工
  • 規(guī)格:根據(jù)客戶圖紙和具體要求加工定制
  • 用途:探索高質(zhì)量的MBE鉬基板,專為分子束外延(MBE)應(yīng)用設(shè)計。我們的鉬基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高純度和出色的表面平整度,適用于半導(dǎo)體、光電和超導(dǎo)材料的研究與生產(chǎn)。立即獲取定制化解決方案,滿足您的高精度實驗需求。
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1. 產(chǎn)品概述
MBE(分子束外延)鉬基板是一種專為高精度薄膜生長工藝設(shè)計的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電材料和量子器件等領(lǐng)域。鉬基板以其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高純度和良好的機械性能,成為MBE設(shè)備中不可或缺的核心組件。

2. 產(chǎn)品特點
- 高熔點:鉬的熔點高達2620°C,適合高溫外延生長環(huán)境。
- 優(yōu)異的熱導(dǎo)率:確保基板表面溫度均勻分布,避免局部過熱。
- 高純度:采用高純度鉬材料,減少雜質(zhì)污染,提升薄膜質(zhì)量。
- 良好的機械強度:在高應(yīng)力條件下保持穩(wěn)定,延長使用壽命。
- 耐腐蝕性:在超高真空和化學(xué)活性環(huán)境中表現(xiàn)出色。
- 定制化設(shè)計:可根據(jù)客戶需求提供不同尺寸、形狀和表面處理的基板。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域
- 半導(dǎo)體制造:用于GaAs、GaN、SiC等材料的分子束外延生長。
- 光電材料:用于激光器、探測器等光電器件的外延生長。
- 量子器件:用于量子點、量子阱等納米結(jié)構(gòu)的外延生長。
- 科研實驗:適用于高精度薄膜生長和新材料研究。

4. 技術(shù)參數(shù)
- 材質(zhì):高純度鉬(Mo)
- 熔點:2620°C
- 熱導(dǎo)率:138 W/m·K
- 密度:10.2 g/cm3
- 純度:≥99.95%
- 尺寸:支持定制(直徑、厚度等)
- 表面處理:可提供拋光、涂層等定制化處理

5. 產(chǎn)品優(yōu)勢
- 高性能:在高溫和超高真空條件下保持穩(wěn)定,確保外延生長質(zhì)量。
- 長壽命:耐高溫、耐腐蝕,減少設(shè)備停機時間和維護成本。
- 高精度:表面平整度高,確保薄膜生長均勻性。
- 定制化服務(wù):根據(jù)客戶需求提供個性化設(shè)計和制造服務(wù)。
- 優(yōu)質(zhì)售后服務(wù):提供全面的技術(shù)支持和維護服務(wù)。

6. 使用與維護
- 安裝:確?;迮c設(shè)備匹配,避免機械應(yīng)力。
- 清潔:定期清理表面污染物,保持高純度和性能。
- 檢查:定期檢查磨損和腐蝕情況,及時更換或維護。

7. 適用設(shè)備
- MBE(分子束外延)設(shè)備
- 超高真空薄膜沉積設(shè)備
- 其他高精度外延生長設(shè)備


MBE鉬基板憑借其優(yōu)異的性能和可靠性,在半導(dǎo)體、光電材料和量子器件等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。無論是大規(guī)模生產(chǎn)還是科研實驗,鉬基板都能提供高效、穩(wěn)定的支持,是MBE設(shè)備中的核心組件。

如需更多信息或定制服務(wù),請聯(lián)系我們的銷售團隊。我們將為您提供專業(yè)的解決方案和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)!

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